Pg电子平台:FindX8的芯片黑科技;国际大厂芯片大单告吹
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Vishay推出获AEC-Q100认证的超小型高集成度高灵敏度光传感器
大联大友尚集团基于onsemi与Sunplus产品的影像识别USB Camera方案

10月24日,OPPO发布最新的旗舰手机Find X8/X8 pro,彻底杀疯iPhone 16系列,不仅在性能上有大提升,其中也藏了一些意想不到的黑科技:
X8在手机内部也开始使用GaN了,采用英诺赛科全链路氮化镓(AllGaN)技术,即从电源侧的快速充电(80W超级闪充和50W无线充)到手机内部主板的充电过压保护(OVP),均采用了英诺赛科GaN;
OPPO 首次将芯片的封装技术带到了屏幕的生产中,实现1.45mm窄边框,用时3年多,投资超过1亿,自产自研芯片级屏幕产线倍。
Wolfspeed上半年过得都挺“惨”,甚至有机构建议它出售,最近这家公司过得更惨了。最近,消息称德国汽车供应商采埃孚打算退出与美国芯片制造商Wolfspeed价值30亿美元(约213.68亿元人民币)的芯片制造项目。据称,由于此前半导体需求弱于预期,Wolfspeed 决定暂停该项目,并怀疑进入欧洲市场是否值得。采埃孚原计划出资1.85亿美元入股萨尔工厂,该工厂主要生产电动汽车芯片。(延伸阅读:《
10月24日,德州仪器(TI)在官网宣布,已开始在其位于日本会津的8英寸GaN工厂生产基于GaN的功率半导体。加上其在德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造厂,TI现在内部生产的GaN 功率半导体产能将增加4倍。
据悉,TI日本会津GaN产线英寸硅基生产线改造而来,其美国达拉斯工厂也预计在2025年完成8英寸过渡,未来2座工厂还将一步推进到12英寸。
英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V,直流母线 VDC, 效率更高,设计更简单;
英飞凌推出新型PSoC汽车多点触控控制器,为OLED和超大屏幕提供卓越的触控性能;
恩智浦发布S32J系列安全以太网交换机支持可扩展汽车网络,拓展CoreRide平台;
东芝推出一款输出耐压为900 V(最小值)的车载光继电器――TLX9150M,非常适合400 V车载电池应用;
Vishay推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A;
Vishay推出业内先进的1 Form A固态继电器--- VORA1010M4;
Littelfuse推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管,这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化硅(SiC)MOSFET栅极免受过压事件影响而设计;
Melexis推出一款简化汽车刹车踏板传感过程的经济高效的解决方案---MLX90424;
思特威推出Star Light(SL)Series超星光级系列4MP图像传感器――SC485SL;
高通推出全新骁龙座舱至尊版平台和Snapdragon Ride至尊版平台;
智芯半导体完成B轮融资,据了解,智芯半导体产品已批量应用于10余家汽车主机厂、直接客户700余家,定点项目1200余个。产品包括电子刹车(EPB)、灯控模块、车机系统、T-BOX、BMS、换挡器(E-SHIFT)等。
国内线控制动EMB头部企业炯熠电子完成近亿元Pre-A轮人民币融资,本轮融资将主要用于EMB产品的持续迭代和供应链端能力的加强,为最早实现EMB在国内量产落地做好充足准备。炯熠电子成立于2022年6月,是国内最早开始研发汽车线控制动的企业之一,主要产品有线控制动系统EMB、电子驻车系统EPB、高性能固定卡钳,公司坐落于苏州太仓高新区。


