Pg电子游戏：扬杰电子申请一种具有空穴截止区的SiCMOSFET及制备方法专利降低了器件的双极退化风险
发布时间：2025-01-03 15:48:05点击量：
金融界2024年10月24日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种具有空穴截止区的SiCMOSFET及制备方法”的专利，公开号 CN 118800659 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种具有空穴截止区的SiC MOSFET及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明在器件中P‑body区下部和PP区底部的位置通过形成截止区的N+区，使器件PN结体二极管在续流过程中，作为截止区的N+区会将PP区的空穴截止，避免其进入到SiC Drift层。这样减小了PP区空穴与SiC Drift层电子发生复合，从而降低了器件的双极退化风险。
