Pg电子游戏平台：瞬态抑制二极管
管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它
能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的
RF 耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速
2、静电放电效应能释放超过10000V、60A 以上的脉冲，并能持续10ms；而
一般的TTL 器件，遇到超过30ms 的10V脉冲时，便会导至损坏。利用TVS 二极
TVS 的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向
升到IR 时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM 上升到击穿电压VBR，
TVS 被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS 的电流达到峰值脉冲电流IPP。
衰减，TVS 两极的电压也不断下降，最后恢复到起始状态。这就是TVS 抑制可能
VWM 是TVS 最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS 的两
极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应 于或等于其最大反向漏电流 ID。
VBR 是TVS 最 的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS 是不导通的。
当TVS 流过规定的1mA 电流（IR）时，加入TVS 两极间的电压为其最 击穿电
压VBR。按TVS 的VBR 与标准值的离散程度，可把TVS 分为±5%VBR和平共处±
当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP 流过TVS 时，在其两极间出现的
最大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC 、
IPP反映 TVS 器件的浪涌抑制能力。VC 与VBR 之比称为箝位因子，一般在
电容量C 是TVS 雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C 的大
与TVS 的电流承受能力成正比，C 过大将使信号衰减。因此，C 是数据接口电
PM 是TVS 能承受的最大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种
TVS 的PM 值，请查阅有关产品手册。在给定的最大箝位电压下，功耗PM 越大，
其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM 下，箝位电压VC 越低，其浪涌电
关。而且TVS 所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率（持续
时间与间歇时间之比）为0.01%，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率
TC 是从零到最 击穿电压VBR 的时间。对单极性TVS 于1×10-12秒；对
4~200mA 电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按
封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS 阵列（适用多线保护）、
2、TVS额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选
用的VWM 太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串
4、在规定的脉冲持续时间内，TVS 的最大峰值脉冲功耗PM 必须大于被保护
5、对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C 的TVS 器件。
6、根据用途选用TVS 的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合
7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在－55~+150℃之间工作。如果需要TVS
在一个变化的温度 工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随TVS
结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线％雨击穿电压VBR 随温度
一种金属化物变阻器。TVS 比压敏电阻的特性优越得多，具体特性参数的比较如
