Pg电子游戏:云潼科技取得具有ESD防护能力的MOSFET器件专利有效地防止了高的电浪涌流入器件内部对造成电冲击
发布时间:2025-04-14 20:13:42点击量:
金融界2025年2月18日消息,国家知识产权局信息显示,重庆云潼科技有限公司取得一项名为“一种具有ESD防护能力的MOSFET器件”的专利,授权公告号CN 222483384 U,申请日期为2024年5月。
专利摘要显示,本实用新型公开了一种具有ESD防护能力的MOSFET器件,该MOSFET器件在栅极和源极的引脚间配置一瞬态抑制二极管,用于当栅极有脉冲电压高时,直接将脉冲高压导入与源极电性连接的电路地。本MOSFET器件在栅极和源极之间配置瞬态抑制二极管当栅极上有脉冲电压高时,直接导入源极(地),有效地防止了高的电浪涌流入器件内部对器件造成电冲击,引起失效。
天眼查资料显示,重庆云潼科技有限公司,成立于2018年,位于重庆市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本938.2238万人民币,实缴资本842.9606万人民币。通过天眼查大数据分析,重庆云潼科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目5次,知识产权方面有商标信息85条,专利信息137条,此外企业还拥有行政许可12个。