Pg电子游戏平台：一种瞬态电压抑制器
1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括二极管本体，所述二极管本体包括半导体衬
底，所述半导体衬底上形成有多个P阱，多个所述P阱横向排列，每个所述P阱间隔设置有多
个N+注入区和P+注入区；在多个所述P阱的一侧形成有多个纵向排列的注入区，每个所述注
入区间隔设置有多个N+注入区和P+注入区；每个所述注入区由深槽单独包围分隔，多个所
述P阱一同由深槽包围分隔；所述半导体衬底上形成有接触孔，所述接触孔表面金属淀积形
成金属层，所述金属层并联连接多个P+注入区形成正极，所述金属层并联多个N+注入区形
2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述注入区呈矩形，每个所述注
入区中设置的N+注入区数目为七个，七个所述N+注入区之间间隔设置有六个P+注入区；所
3.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述P阱为形状且尺寸相同的长
条形，所述P阱数目为八个，每个所述P阱两侧均设置有P+注入区，每个P阱的中部均设置有P
4.如权利要求3所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，每个所述P阱中部的P+注入区两
侧均设置有N+注入区，每个相邻的所述P+注入区之间均设置有N+注入区，所述P阱中以及所
5.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述金属层上方形成有钝化层，
6.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述半导体衬底为P型衬底。
7.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述二极管本体的正向导通电压
为0.9V，所述二极管本体在5v 工作电压下的反向漏电小于10nA，所述二极管本体在1mA 电
（ESD）以及其他一些电压浪涌形式存在的瞬态电压的存在会对电子器件的正常工作产生冲
击，严重的甚至会导致器件烧毁失效，因此保护电路显得越来越重要，瞬态电压抑制器
PN结半导体电子器件。瞬态保护电路的电特性取决于PN结面积，掺杂浓度，衬底电阻等因
素。瞬态电压抑制器作为并行的保护器件。在正常工作条件下，瞬态电压抑制器在被保护的
电路上呈现高阻抗状态。理想情况下是呈现开路状态，虽有少量的漏电流存在。当过冲电压
超过保护电路的正常工作电压时，瞬态电压抑制器在PN结的雪崩击穿效应为瞬态电流提供
一个低阻抗路径。因此，瞬态电流被分流通过并联的瞬态电压抑制器，从而起到对电子器件
的保护作用。作为一个钳位元器件，瞬态电压抑制器能有效抑制住所有超过自身雪崩击穿
电压（钳位电压）的外来瞬态过冲电压。瞬态过冲威胁过去后，TVS器件会自动复位到高阻抗
因此，瞬态电压抑制器通常指为响应“几乎是在瞬间”。另一个与钳位电压密切相关的参数
是在瞬态电压抑制器件的工作电压。工作电压，有时也被称为反向隔离电压（VRWM），低于该
电压使TVS器件呈现高阻抗状态，在电路版图上几乎是“透明”的。当线路电压超过工作电
压，也就是当瞬态电压经过时，瞬态电压抑制器的保护作用开始启动“钳位”电压尖峰。工作
电压不能与钳位电压相混淆，它是处在一个高阻抗状态和低阻抗分流状态之间的拐点。
一个较低的工作电压及钳位电压对保护器件来说至关重要。现有的瞬态电压抑制器响应时
包括二极管本体，所述二极管本体包括半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个P阱，多
个所述P阱横向排列，每个所述P阱间隔设置有多个N+注入区和P+注入区；在多个所述P阱的
一侧形成有多个纵向排列的注入区，每个所述注入区间隔设置有多个N+注入区和P+注入
区；每个所述注入区由深槽单独包围分隔，多个所述P阱一同由深槽包围分隔；所述半导体
衬底上形成有接触孔，所述接触孔表面金属淀积形成金属层，所述金属层并联连接多个P+
进一步地，所述注入区呈矩形，每个所述注入区中设置的N+注入区数目为七个，七
个所述N+注入区之间间隔设置有六个P+注入区；所述N+注入区和P+注入区沿注入区的长度
进一步地，所述P阱为形状且尺寸相同的长条形，所述P阱数目为八个，每个所述P
阱两侧均设置有P+注入区，每个P阱的中部均设置有P+注入区，所述P阱中以及所述P阱两侧
进一步地，每个所述P阱中部的P+注入区两侧均设置有N+注入区，每个相邻的所述
P+注入区之间均设置有N+注入区，所述P阱中以及所述P阱两侧的N+注入区的数目为二十五
进一步地，所述金属层上方形成有钝化层，所述金属层的材质为铝，所述金属层的
进一步地，所述二极管本体的正向导通电压为0.9V，所述二极管本体在5v 工作电
压下的反向漏电小于10nA，所述二极管本体在1mA 电流下的击穿电压为7V。
器，在半导体衬底上注入P型杂质形成P阱；再在半导体衬底及P阱注入浓度较高的N型杂质
形成N+注入区，浓度较高的P型杂质形成P+注入区，减少响应时间，提高可靠性，并在采用P
图8为本实用新型实施例的瞬态电压抑制器峰值电流测试曲线为本实用新型实施例的瞬态电压抑制器不同偏置电压下的电容曲线、P阱；3、注入区；5、N+注入区；6、P+注入区；7、深槽；8、金属层；9、
图1为本实用新型实施例的瞬态电压抑制器结构示意图；图2为本实用新型实施例
请参见图1和图2，本实用新型实施例的瞬态电压抑制器，包括二极管本体，二极管
本体包括半导体衬底1，半导体衬底1上形成有多个P阱2，多个P阱2横向排列，每个P阱2间隔
设置有多个N+注入区5和P+注入区6；在多个P阱2的一侧形成有多个纵向排列的注入区3，每
个注入区3间隔设置有多个N+注入区5和P+注入区6；每个注入区3由深槽7单独包围分隔，多
请继续参见图2‑图5，本实用新型实施例的瞬态电压抑制器，注入区3呈矩形，每个
注入区3中设置的N+注入区5数目为七个，七个N+注入区5之间间隔设置有六个P+注入区6；N
具体地，P阱2为形状且尺寸相同的长条形，P阱2数目为八个，每个P阱2两侧均设置
有P+注入区6，每个P阱2的中部均设置有P+注入区6，P阱2中以及P阱两侧的P+注入区6的数
具体地，每个P阱2中部的P+注入区6两侧均设置有N+注入区5，每个相邻的P+注入
区6之间均设置有N+注入区5，P阱2中以及P阱2两侧的N+注入区5的数目为二十五个。
请同时参见图6，本实用新型实施例的瞬态电压抑制器，半导体衬底1上形成有接
触孔，接触孔表面金属淀积形成金属层8，金属层8并联连接多个P+注入区6形成正极，金属
请同时参见图7，本实用新型实施例的瞬态电压抑制器，金属层8上方形成有钝化
层9，金属层8的材质为铝，金属层8的厚度为4um，4um的厚铝金属层8能够减小体电阻。钝化
层9是金属层8钝化的那部分，钝化使金属表面转化为不易被氧化的状态，而延缓金属的腐
具体地，半导体衬底1为P型衬底，其电阻率2mohm.cm，重掺杂的衬底可以得到较小
具体地，二极管本体的正向导通电压为0.9V，二极管本体在5v 工作电压下的反向
请参见图8，本实用新型实施例的瞬态电压抑制器，采用国际常用的8/20us 脉冲
波形进行峰值电流测试，在钳制电压为11.5V 时峰值电流约为6.3A，二极管的放电特性良
请参见图9，本实用新型实施例的瞬态电压抑制器，采用交流信号频率为1MHZ测试
电容，电容是影响工作速度的重要参数，由图9可知二极管分别在0v、2.5v、5v 直流偏置下
综上所述，本实用新型实施例的瞬态电压抑制器，在半导体衬底1上注入P型杂质
形成P阱；再在半导体衬底1和P阱注入浓度较高的N型杂质形成N+注入区5，浓度较高的P型
杂质形成P+注入区6，降低电容值，减少响应时间，提高可靠性；采用P 型衬底，电阻率小，得
本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本
