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　　瞬态电压抑制器 上网时间： 2008-1 0-25 来源： 安森美半导体 中心议题：  TVS 器件为正向和反向电压不超过额定范围提供保护  介绍基本二极管的性质 解决方案：  多个二极管以确保多路信号线受同一个瞬态电压抑制器的保护  通过二极管的电流很小， 它的导通电压的范围会比较大  掺杂浓度高的 PN 结， 其雪崩击穿的触发电压更低 基于雪崩二极管和稳压二极管的瞬态电压抑制器(TVS)专为传输更大的负载电流和承受更高的击穿电压而优化。 瞬态电压抑制器设计了多个二极管以确保多路信号线受同一个瞬态电压抑制器的保护。 二极管是由半导体硅组成的， 即 P 型掺...

　　瞬态电压抑制器 上网时间： 2008-1 0-25 来源： 安森美半导体 中心议题：  TVS 器件为正向和反向电压不超过额定范围提供保护  介绍基本二极管的性质 解决方案：  多个二极管以确保多路信号线受同一个瞬态电压抑制器的保护  通过二极管的电流很小， 它的导通电压的范围会比较大  掺杂浓度高的 PN 结， 其雪崩击穿的触发电压更低 基于雪崩二极管和稳压二极管的瞬态电压抑制器(TVS)专为传输更大的负载电流和承受更高的击穿电压而优化。 瞬态电压抑制器设计了多个二极管以确保多路信号线受同一个瞬态电压抑制器的保护。 二极管是由半导体硅组成的， 即 P 型掺杂的硅和 N 型掺杂的硅形成的 PN结。 TVS 器件为正向和反向电压不超过额定范围提供保护。 基本二极管的性质将在下面讨论 图 1 突变 PN 节示意图

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