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　　美国中央半导体公司，简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商，是一款硅，4线单向瞬态电压抑制器，可以对电路中的核心芯片进行保护，使敏感设备免受ESD损坏，主要应用于用户接口瞬态保护、电话线路保护、电压钳位等领域。

　　在工作环境为25℃的条件下，CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器峰值功耗（8x20μs）的最大额定值为25W，电快速瞬变(IEC 61000-4-4) (5x50ns)测试电流最大额定值为40A。其ESD电压在IEC 61000-4-2，气隙放电以及IEC 61000-4-2，接触放电的条件下最大额定值均为15kV。CPZ39R-CMNTVS5V0的工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃，能够适应较为恶劣的工业环境，满足大部分环境上的需求，保证器件稳定性。

　　在工作环境为25℃的条件下，CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器的最大反向隔离电压VRWM为5.0V，其反向击穿电压VBR在输入电流为1.0mA的条件下，最小值、正常值、最大值分别为6.0V,7.1V,8.0V。CPZ39R-CMNTVS5V0的反向漏电流IR在最大反向隔离电压下，典型值为5.0nA,最大值为250nA，漏电流所造成的危害较小，从而能够较好地保护芯片不受损坏。CPZ39R-CMNTVS5V0的最大钳位电压（8x20μs）VC为12.5V，典型动态电阻RDYN为1.45Ω，结电容典型值为5.5pF。

　　·反向击穿电压VBR最小值、正常值、最大值分别为6.0V,7.1V,8.0V

　　·反向漏电流IR在最大反向隔离电压下，典型值为5.0nA,最大值为250nA

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　　CENTRAL公司推出的CPZ40X-CMO5V0LC是一种硅制低电容单向瞬态电压抑制器，可以对电路中的核心芯片进行保护，使敏感设备免受ESD伤害。适用于高可靠性系统的设计。

　　CAK3和CAK6系列瞬态电压抑制器 (TVS) 是Central Semiconductor推出的双向玻璃钝化结器件，可用于保护电压敏感器件免受因雷击和感性负载切换带来的高能瞬变损害。该器件具有紧钳位比（VC/VRWM），可为敏感电子设备提供快速、精确的保护。

　　中央半导体推出的1SMC5.0A至1SMC170A系列器件是表面贴装硅单向玻璃钝化结瞬态电压抑制器，设计用于保护电压敏感元件免受高压瞬态影响。该器件采用玻璃钝化芯片制造，以达到最佳的可靠性。在环境温度为25°C的条件下，该系列器件峰值功耗为1500W，峰值正向浪涌电流为200A，工作和存储结温为-65°C至150°C。

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　　该资料介绍了ESD7V0LA型瞬态电压抑制器的技术规格和应用。它是一种单向线性瞬态电压抑制器，具有超小封装、最大 standoff 电压为7V、低泄漏电流和低钳位电压等特点。适用于电源保护和电力管理等领域。

　　该资料介绍了ESD56301D04瞬态电压抑制器，这是一种专为保护电源接口设计的器件。它适用于替代便携式电子产品中的多个离散组件，并具有低钳位电压、固态硅技术等特点。资料还提供了电气特性、封装尺寸、订购信息和包装信息。

　　该资料介绍了MMBZ18VC型号的瞬态电压抑制器（TVS）的特性、应用领域、机械数据、电气特性、订购信息和外形尺寸。该产品适用于多种电子设备，具有低漏电流、超低钳位电压和符合RoHS标准等特点。

　　本资料介绍了ESD5V0LZA型号的单向瞬态电压抑制器。该器件具有5伏最大 standoff 电压，提供IEC61000-4-2（ESD）±30kV接触放电保护、IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）和IEC61000-4-5（浪涌）18A（8/20μs）的瞬态保护。它还具有低漏电流和低钳位电压的特点，适用于电源保护和电力管理。

　　该资料介绍了ESD56321NXX瞬态电压抑制器，这是一种专为保护电源接口设计的器件。它适用于便携式电子设备，可替代多个离散组件。该产品特别针对USB端口设计，采用DFN1006-2L封装，具有低钳位电压、固态硅技术等特点。

　　MMBZ33VA是一款符合RoHS标准的双向、单向瞬态电压抑制器。具有26V的 standoff电压，根据IEC61000-4-2(ESD)提供±30kV的瞬态保护，低泄漏电流，超低钳位电压。适用于手机、笔记本电脑、便携式仪表、机顶盒、工业控制和服务器等应用。

　　该资料介绍了ESDA6V1W5型瞬态电压抑制器（TVS）的特性及应用。这是一种四线单向TVS，专为敏感电子组件提供静电放电（ESD）保护。它具有高反向 standoff 电压、低漏电流和低钳位电压等特点，适用于多种电子产品。

　　该资料介绍了ESD0524T3瞬态电压抑制器（TVS）的特性、应用领域和订购信息。它是一种超小型封装的瞬态保护器件，具有低漏电流、低钳位电压等特点，适用于多种电子设备。

　　PTVSHC2EN5VB 是一款瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor），用于保护敏感半导体组件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件损坏。该器件具有优异的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间，适用于易受到ESD影响的设计。它提供了一种灵活的保护方案，适用于不适合阵列应用的单一单向线路。

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　　【产品】普罗森美推出峰值脉冲功率600W的瞬态电压抑制器，具有单向和双向快速保护

　　普罗森美推出了峰值脉冲功率为600W（10/1000μs）的瞬态电压抑制器SMBJ5.0(C)A - SMBJ440(C)A，超低电感，薄型封装，小尺寸，具有单向和双向快速保护，峰值正向浪涌电流100A，响应时间快，典型值小于1ps ，具有出色的电压钳位能力。

　　PTVSHC2EN7VU 是一款瞬态电压抑制器，用于保护敏感半导体组件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件损坏。该器件具有优异的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间，适用于易受到ESD影响的设计。它提供了一种灵活的保护方案，可以保护单向线路。

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　　SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

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　　Surface mount Transient Voltage Suppressor

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　　SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR