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Pg电子游戏:一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制方法pdf

发布时间:2025-07-05 14:41:50点击量:

  本发明公开了一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制方法,首先通过采样电路模块获取射频电源的输出电压和输出电流,然后通过特定的判别准则区分微弧和硬弧,并采取相应的控制策略进行抑弧处理,最终实现对电弧的快速检测和有效抑制,提高薄膜沉积质量,避免工件表面产生不可逆的损伤,最后即可设计等离子体射频电源的最优微弧参数,通过调整微弧中断时间、电压阈值和电流阈值,并记录硬弧和软弧的频次,计算出最优的微弧中断时间及相关参数,以实现对微弧的最佳处理。通过使用本发明所提出的等离子体射频电源电弧检测及抑制技术,可以及时

  (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116949412 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 0.6 (22)申请日 2023.08.04 (71)申请人 中南大学 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南 路932号 (72)发明人 王辉袁士林粟梅冯伟权 (74)专利代理机构 南京众联专利代理有限公司 32206 专利代理师 蒋昱 (51)Int.Cl. C23C 14/54 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制 方法 (57)摘要 本发明公开了一种等离子体射频电源电弧 检测及其抑制方法,首先通过采样电路模块获取 射频电源的输出电压和输出电流,然后通过特定 的判别准则区分微弧和硬弧,并采取相应的控制 策略进行抑弧处理,最终实现对电弧的快速检测 和有效抑制,提高薄膜沉积质量,避免工件表面 产生不可逆的损伤,最后即可设计等离子体射频 电源的最优微弧参数,通过调整微弧中断时间、 电压阈值和电流阈值,并记录硬弧和软弧的频 次,计算出最优的微弧中断时间及相关参数,以 实现对微弧的最佳处理。通过使用本发明所提出 A 的等离子体射频电源电弧检测及抑制技术,可以 2 及时检测和抑制电弧的产生,保护工件表面,提 1 4 9 高薄膜沉积质量,减少工件不良率。 4 9 6 1 1 N C CN 116949412 A 权利要求书 1/2 页 1.一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制方法,其特征在于:包括如下步骤: S1:通过电弧检测模块对等离子体射频电源进行电弧检测: S11:利用输出电压采样模块,获取射频电源的输出电压Uo; S12:利用输出电流采样模块,获取射频电源的输出电流Io; S13:将输出电压Uo与预设的电压阈值Uth作比较,同时将输出电流Io与预设的电流阈 值Ith作比较,当Uo小于Uth且Io大于Ith时,判别为UXI弧,也即微弧,将输出电流Io与预设 的电流阈值Ith1作比较,当Io大于Ith1时,判别为Imax弧,也即硬弧; S2:通过电弧抑制模块对等离子体射频电源电弧进行抑制: S21:当判别发生微弧时,控制射频电源的输出按预定微弧中断时间Tmicro关断 ,使得 微弧熄灭; S22:当判别发生硬弧时,控制射频电源的输出按预定硬弧中断时间TImax关断,使得硬 弧熄灭;经过TImax时间之后,再控制射频电源输出按照预定的斜率重启爬坡,恢复输出; S3:设计等离子体射频电源的最优微弧参数: S31:将与微弧相关的电压阈值Uth设到最小值,将电流阈值Ith设到最大值; S32:使能硬弧动作功能,关闭软弧动作功能; S33 :记录此时射频电源硬弧和软弧发生的频次 ,即单位时间内硬弧和软弧发生的次 数,分别记为RImax0和RUXI0; S34:同时使能硬弧和软弧动作功能,并将微弧中断时间Tmicro设到最小值; S35 :记录此时射频电源硬弧和软弧发生的频次 ,即单位时间内硬弧和软弧发生的次 数,分别记为RImax1和RUXI1; S36:逐次增加微弧中断时间,每次TmicroI (I=1,2,3,…)下均记录此时射频电源硬弧 和软弧发生的频次,即单位时间内硬弧和软弧发生的次数,分别记为RImaxI和RUXII  (I=1,  2,3,…); S37:逐次增大电压阈值Uth,降低电流阈值Ith, 并重复步骤S2‑步骤S6; S38:计算每种情况下的硬弧和软弧发生比率,计算公式为:R1Imax  RImax0/RImaxI ,  R1UXI  RUXI0/RUXII; S39:计算每种情况下射频电源的微弧中断时间,计算公式为:TI=TmicroI*R1UXI; S310:评估微弧的最优设置,根据最优位置得到最优微弧参数,最优微弧参数为使得硬 弧发生比率最大并且微弧中断时间最短。 2.根据权利要求1所述的一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制方法,其特征在于: 还包括全桥逆变器,所述输出电压采样模块和输出电流采样模块分别连接电弧检测模块, 所述电弧检测模块连接电弧抑制模块,所述电弧抑制模块连接全桥逆变器,所述全桥逆变 器连接在负载上,当判别发生硬弧时,控制射频电源的输出按预定硬弧中断时间TImax关 断,经过TImax时间之后,射频电源输出经全桥逆变器输出到负载,实现输出电流的连续性。 3.根据权利要求2所述的一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制方法,其特征在于: 所述输出电压采样模块包括电压传感器和电压采样电路,所述电压传感器分别连接电压采 样电路和射频电源的输出端上,所述输出电流采样模块包括电流传感器和电流采样电路, 所述电流传感器分别连接在电流采样电路和射频电源的输出端上。 4.根据权利要求3所述的一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制方法,其特征在于: 2 2 CN 116949412 A 权利要求书 2/2 页 所述电压采样电路和电流采样电路分别连接在电弧检测模块上,用于输入获取得射频电源 的输出电压Uo和输出电流Io。 3 3 CN 116949412 A 说明书 1/6 页 一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制方法 技术领域 [0001] 本发明涉及等离子体薄膜沉积工艺领域,具体为一种用于等离子体薄膜沉积工艺 中的射频电源电弧检测及其抑制方法。 背景技术 [0002] 等离子体处理装置被广泛应用于半导体加工领域中,如物理气相沉积PVD和化学 气相沉积CVD等。譬如常见的等离子体增强型化学气相沉积PECVD,其原理是利用辉光放电 产生的等离子体使气体分解并快速发生反应,从而生成薄膜。 [0003] 射频电源广泛用于PECVD、PVD等等离子体薄膜沉积工艺场合。在薄膜沉积工艺中, 利用射频电源来激发产生等离子体。由于工件表面局部电荷积累、表面尖端放电、腔体气氛 变化等因素,易产生电弧打火现象,如不及时采取有效措施,将影响薄膜沉积质量,甚至对 工件表面产生不可逆的损伤,导致工件报废。因此,在等离子体薄膜沉积工艺中,电弧的快 速检测和有效抑弧处理至关重要。为了减少电弧放电的不利影响,希望在电弧形成过程的 初期就能自动的判断出电弧,以便尽早的关断电源输出,减轻已发生的电弧的危害。通过提 出一种新的等离子体射频电源电弧检测及其抑制技术,可以有效提高薄膜沉积工艺的稳定 性和良率。 发明内容 [0004] 为解决上述问题,本发明提出了一种等离子体射频电源电弧检测及抑制方法,包 括射频电源输出电压传感及采样电路模块、射频电源输出电流传感、采样电路模块以及电 弧检测及抑制模块。通过电压传感器和电流传感器获取射频电源的输出电压和输出电流; 对输出电压和输出电流与预设的电压阈值和电流阈值进行比较,识别出微弧和硬弧;根据 检测结果,控制射频电源的输出进行中断并熄灭电弧,以避免对工件造成损害;在硬弧中断 时间之后,逐步恢复射频电源的输出,确保工作的连续性和稳定性。 [0005] 为实现上述目的,本发明采取的技术方案是: 一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制方法,其特征在于:包括如下步骤: S1:通过电弧检测模块对等离子体射频电源进行电弧检测: S11:利用输出电压采样模块,获取射频电源的输出电压Uo; S12:利用输出电流采样模块,获取射频电源的输出电流Io; S13:将输出电压Uo与预设的电压阈值Uth作比较,同时将输出电流Io与预设的电 流阈值Ith作比较,当Uo小于Uth且Io大于Ith时,判别为UXI弧,也即微弧,将输出电流Io与 预设的电流阈值Ith1作比较,当Io大于Ith1时,判别为Imax弧,也即硬弧; S2:通过电弧抑制模块对等离子体射频电源电弧进行抑制: S21:当判别发生微弧时,控制射频电源的输出按预定微弧中断时间Tmicro关断, 使得微弧熄灭; S22:当判别发生硬弧时,控制射频电源的输出按预定硬弧中断时间TImax关断,使 4 4 CN 116949412 A 说明书 2/6 页 得硬弧熄灭;经过TImax时间之后,再控制射频电源输出按照预定的斜率重启爬坡,恢复输 出; S3:设计等离子体射频电源的最优微弧参数: S31:将与微弧相关的电压阈值Uth设到最小值,将电流阈值Ith设到最大值; S32:使能硬弧动作功能,关闭软弧动作功能; S33:记录此时射频电源硬弧和软弧发生的频次,即单位时间内硬弧和软弧发生的 次数,分别记为RImax0和RUXI0; S34:同时使能硬弧和软弧动作功能,并将微弧中断时间Tmicro设到最小值; S35:记录此时射频电源硬弧和软弧发生的频次,即单位时间内硬弧和软弧发生的 次数,分别记为RImax1和RUXI1; S36:逐次增加微弧中断时间,每次TmicroI (I=1,2,3,…)下均记录此时射频电源 硬弧和软弧发生的频次,即单位时间内硬弧和软弧发生的次数,分别记为RImaxI和RUXII  (I=1, 2,3,…); S37:逐次增大电压阈值Uth,降低电流阈值Ith, 并重复步骤S2‑步骤S6; S38:计算每种情况下的硬弧和软弧发生比率,计算公式为:R1Imax  RImax0/ RImaxI, R1UXI  RUXI0/RUXII; S39:计算每种情况下射频电源的微弧中断时间,计算公式为:TI=TmicroI*R1UXI; S310:评估微弧的最优设置,根据最优位置得到最优微弧参数,最优微弧参数为使 得硬弧发生比率最大并且微弧中断时间最短。 [0006] 上述结构中:本发明提出的一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制方法,包括 以下几个步骤:首先是通过电弧检测模块对等离子体射频电源进行电弧检测,然后通过电 弧抑制模块对等离子体射频电源电弧进行抑制,最后,设计等离子体射频电源的最优微弧 参数。 [0007] 其中,在通过电弧检测模块对等离子体射频电源进行电弧检测时,通过设置安装 的输出电压采样模块和输出电流采样模块分别获取射频电源的输出电流和输出电压,在通 过设置的电弧检测模块进行对输出电压和输出电流与预设的电压阈值和电流阈值进行比 较,识别出微弧和硬弧,完成对射频电源输出的电弧检测。 [0008] 电弧检测模块进行电弧检测时,通过电压传感器和电流传感器分别获取射频电源 的输出电压和输出电流,并与预设的电压阈值和电流阈值进行比较,从而识别出微弧和硬 弧。通过电弧检测模块进行电弧检测,可以及时发现和识别电弧问题,为后续的电弧抑制处 理提供准确的依据。 [0009] 当电弧产生时,就需要通过电弧抑制模块对等离子体射频电源电弧进行抑制,射 频电源输出电压的变化比电流变化更快,可以通过检测射频电源输出电压幅度,来迅速判 断拉弧现象是否产生,并迅速关断射频电源输出脉冲电压,此时拉弧电流只比稳态输出电 流略微升高,电弧类型为微弧,若输出电压低于设定电压阈uth且输出电流大于设定的电流 阈值ith则将电弧判定为微弧 。若电弧产生时输出电流增大过快 ,大于预设的电流阈值 ith1,则将电弧判定为硬弧。 [0010] 电弧抑制模块进行电弧抑制时,根据检测到的电弧类型,控制射频电源的输出进 行中断并熄灭电弧。例如,在检测到微弧时,控制射频电源的输出按预定的微弧中断时间进 5 5 CN 116949412 A 说明书 3/6 页 行关断,以防止微弧进一步发展为硬弧。当检测到硬弧时,控制射频电源的输出按预定硬弧 中断时间关断一段时间,熄灭硬弧。 [0011] 最后,设计等离子体射频电源的最优微弧参数,通过对硬弧和软弧发生频次的记 录,并逐步调整微弧中断时间和电压阈值、电流阈值,计算出最佳微弧参数。这样,可以最大 限度地减少硬弧发生的比率,并使微弧中断时间最短,达到最优的微弧抑制效果,从而设计 出等离子体射频电源的最优微弧参数。 [0012] 作为本发明的优选技术方案:还包括全桥逆变器,所述输出电压采样模块和输出 电流采样模块分别连接电弧检测模块,所述电弧检测模块连接电弧抑制模块,所述电弧抑 制模块连接全桥逆变器,所述全桥逆变器连接在负载上,当判别发生硬弧时,控制射频电源 的输出按预定硬弧中断时间TImax关断,经过TImax时间之后,射频电源输出经全桥逆变器 输出到负载,实现输出电流的连续性。 [0013] 上述结构中:通过设置的全桥逆变器,能够实现输出电流的连续性,当判别发生硬 弧时,控制射频电源的输出按预定硬弧中断时间TImax关断,经过TImax时间之后,射频电源 输出经全桥逆变器输出到负载,因此,实现了输出电流的连续性。 [0014] 作为本发明的优选技术方案:所述输出电压采样模块包括电压传感器和电压采样 电路,所述电压传感器分别连接电压采样电路和射频电源的输出端上,所述输出电流采样 模块包括电流传感器和电流采样电路,所述电流传感器分别连接在电流采样电路和射频电 源的输出端上。 [0015] 作为本发明的优选技术方案:所述电压采样电路和电流采样电路分别连接在电弧 检测模块上,用于输入获取得射频电源的输出电压Uo和输出电流Io。 [0016] 上述结构中:输出电压采样模块包括电压传感器和电压采样电路,电压传感器分 别连接电压采样电路和射频电源的输出端上,通过电压传感器采集射频电源的输出电压, 输出电流采样模块包括电流传感器和电流采样电路,电流传感器分别连接在电流采样电路 和射频电源的输出端上,通过电流传感器采集射频电源的输出电流,电压采样电路和电流 采样电路分别连接在电弧检测模块上,输入电压传感器和电流传感器获取射频电源的输出 电压Uo和输出电流Io到电弧检测模块中。 [0017] 与现有技术相比,本发明的有益效果为: (1)采用射频电源输出电压和电流的采样模块,能够实时监测电弧的产生和变化 情况,确保对电弧的快速检测。 [0018] (2)通过判别准则区分微弧和硬弧,并采取相应的控制策略进行抑弧处理,既能够 防止微弧进一步发展为硬弧,又能够避免硬弧对工件表面的损伤。 [0019] (3)通过逐步调整微弧中断时间和电压阈值、电流阈值,计算出最佳微弧参数,最 终可以设计出等离子体射频电源的最优微弧参数,能够根据实际工艺情况评估微弧的最优 设置,提高工件表面质量和薄膜沉积效果。 附图说明 [0020] 图1为本发明的原理框架图; 图2为本发明中等离子体射频电源电弧快速分级检测流程图; 图3为本发明中等离子体射频电源电弧抑制流程图; 6 6 CN 116949412 A 说明书 4/6 页 图4为本发明中微弧判定示意图; 图5为本发明中硬弧判定示意图。 实施方式 [0021] 下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述: 本发明提出了一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制方法,包括如下步骤: S1:通过电弧检测模块对等离子体射频电源进行电弧检测: S11:利用输出电压采样模块,获取射频电源的输出电压Uo; S12:利用输出电流采样模块,获取射频电源的输出电流Io; S13:将输出电压Uo与预设的电压阈值Uth作比较,同时将输出电流Io与预设的电 流阈值Ith作比较,当Uo小于Uth且Io大于Ith时,判别为UXI弧,也即微弧,将输出电流Io与 预设的电流阈值Ith1作比较,当Io大于Ith1时,判别为Imax弧,也即硬弧; S2:通过电弧抑制模块对等离子体射频电源电弧进行抑制: S21:当判别发生微弧时,控制射频电源的输出按预定微弧中断时间Tmicro关断, 使得微弧熄灭; S22:当判别发生硬弧时,控制射频电源的输出按预定硬弧中断时间TImax关断,使 得硬弧熄灭;经过TImax时间之后,再控制射频电源输出按照预定的斜率重启爬坡,恢复输 出; S3:设计等离子体射频电源的最优微弧参数: S31:将与微弧相关的电压阈值Uth设到最小值,将电流阈值Ith设到最大值; S32:使能硬弧动作功能,关闭软弧动作功能; S33:记录此时射频电源硬弧和软弧发生的频次,即单位时间内硬弧和软弧发生的 次数,分别记为RImax0和RUXI0; S34:同时使能硬弧和软弧动作功能,并将微弧中断时间Tmicro设到最小值; S35:记录此时射频电源硬弧和软弧发生的频次,即单位时间内硬弧和软弧发生的 次数,分别记为RImax1和RUXI1; S36:逐次增加微弧中断时间,每次TmicroI (I=1,2,3,…)下均记录此时射频电源 硬弧和软弧发生的频次,即单位时间内硬弧和软弧发生的次数,分别记为RImaxI和RUXII  (I=1, 2,3,…); S37:逐次增大电压阈值Uth,降低电流阈值Ith, 并重复步骤S2‑步骤S6; S38:计算每种情况下的硬弧和软弧发生比率,计算公式为:R1Imax  RImax0/ RImaxI, R1UXI  RUXI0/RUXII; S39:计算每种情况下射频电源的微弧中断时间,计算公式为:TI=TmicroI*R1UXI; S310:评估微弧的最优设置,根据最优位置得到最优微弧参数,最优微弧参数为使 得硬弧发生比率最大并且微弧中断时间最短。 [0022] 本发明提出的一种等离子体射频电源电弧检测及其抑制方法,包括以下几个步 骤:首先是通过电弧检测模块对等离子体射频电源进行电弧检测,然后通过电弧抑制模块 对等离子体射频电源电弧进行抑制,最后,设计等离子体射频电源的最优微弧参数。 [0023] 如图2所示,其中,在通过电弧检测模块对等离子体射频电源进行电弧检测时,通 7 7 CN 116949412 A 说明书 5/6 页 过设置安装的输出电压采样模块和输出电流采样模块分别获取射频电源的输出电流和输 出电压,在通过设置的电弧检测模块进行对输出电压和输出电流与预设的电压阈值和电流 阈值进行比较,识别出微弧和硬弧,完成对射频电源输出的电弧检测。 [0024] 电弧检测模块进行电弧检测时,通过电压传感器和电流传感器分别获取射频电源 的输出电压和输出电流,并与预设的电压阈值和电流阈值进行比较,从而识别出微弧和硬 弧。通过电弧检测模块进行电弧检测,可以及时发现和识别电弧问题,为后续的电弧抑制处 理提供准确的依据。 [0025] 当电弧产生时,就需要通过电弧抑制模块对等离子体射频电源电弧进行抑制,射 频电源输出电压的变化比电流变化更快,可以通过检测射频电源输出电压幅度,来迅速判 断拉弧现象是否产生,并迅速关断射频电源输出脉冲电压,此时拉弧电流只比稳态输出电 流略微升高,电弧类型为微弧,对于微弧的判别结合图4进行说明,若输出电压低于设定电 压阈uth且输出电流大于设定的电流阈值ith则将电弧判定为微弧。对于硬弧的判别结合图 5进行说明,若电弧产生时输出电流增大过快,大于预设的电流阈值ith1,则将电弧判定为 硬弧。 [0026] 图4中:uth为预设电压阈值,  ith为预设电流阈值,Tmicro为预设微弧关断时间。 [0027] 图5中:ith1为预设硬弧电流阈值,TImax为预设硬弧关断时间。 [0028] 如图3所示,电弧抑制模块进行电弧抑制时,根据检测到的电弧类型,控制射频电 源的输出进行中断并熄灭电弧。例如,在检测到微弧时,控制射频电源的输出按预定的微弧 中断时间进行关断,以防止微弧进一步发展为硬弧。当检测到硬弧时,控制射频电源的输出 按预定硬弧中断时间关断一段时间,熄灭硬弧。 [0029] 最后,设计等离子体射频电源的最优微弧参数,通过对硬弧和软弧发生频次的记 录,并逐步调整微弧中断时间和电压阈值、电流阈值,计算出最佳微弧参数。这样,可以最大 限度地减少硬弧发生的比率,并使微弧中断时间最短,达到最优的微弧抑制效果,从而设计 出等离子体射频电源的最优微弧参数。 [0030] 如图1所示,在本实施中 :还包括全桥逆变器,所述输出电压采样模块和输出电流 采样模块分别连接电弧检测模块,所述电弧检测模块连接电弧抑制模块,所述电弧抑制模 块连接全桥逆变器,所述全桥逆变器连接在负载上,当判别发生硬弧时,控制射频电源的输 出按预定硬弧中断时间TImax关断,经过TImax时间之后,射频电源输出经全桥逆变器输出 到负载,实现输出电流的连续性。 [0031] 通过设置的全桥逆变器,能够实现输出电流的连续性,当判别发生硬弧时,控制射 频电源的输出按预定硬弧中断时间TImax关断,经过TImax时间之后,射频电源输出经全桥 逆变器输出到负载,因此,实现了输出电流的连续性。 [0032] 在本实施例中 :所述输出电压采样模块包括电压传感器和电压采样电路,所述电 压传感器分别连接电压采样电路和射频电源的输出端上,所述输出电流采样模块包括电流 传感器和电流采样电路,所述电流传感器分别连接在电流采样电路和射频电源的输出端 上。所述电压采样电路和电流采样电路分别连接在电弧检测模块上,用于输入获取得射频 电源的输出电压Uo和输出电流Io。 [0033] 输出电压采样模块包括电压传感器和电压采样电路,电压传感器分别连接电压采 样电路和射频电源的输出端上,通过电压传感器采集射频电源的输出电压,输出电流采样 8 8 CN 116949412 A 说明书 6/6 页 模块包括电流传感器和电流采样电路,电流传感器分别连接在电流采样电路和射频电源的 输出端上,通过电流传感器采集射频电源的输出电流,电压采样电路和电流采样电路分别 连接在电弧检测模块上,输入电压传感器和电流传感器获取射频电源的输出电压Uo和输出 电流Io到电弧检测模块中。 [0034] 综上所述: 本发明采用射频电源输出电压和电流的采样模块,能够实时监测电弧的产生和变 化情况,确保对电弧的快速检测。 [0035] 本发明通过判别准则区分微弧和硬弧,并采取相应的控制策略进行抑弧处理,既 能够防止微弧进一步发展为硬弧,又能够避免硬弧对工件表面的损伤。 [0036] 本发明通过逐步调整微弧中断时间和电压阈值、电流阈值,计算出最佳微弧参数, 最终可以设计出等离子体射频电源的最优微弧参数,能够根据实际工艺情况评估微弧的最 优设置,提高工件表面质量和薄膜沉积效果。 [0037] 以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已 ,并非是对本发明作任何其他形式的限 制,而依据本发明的技术实质所作的任何修改或等同变化,仍属于本发明所要求保护的范 围。 9 9 CN 116949412 A 说明书附图 1/4 页 图 1 10 10 CN 116949412 A 说明书附图 2/4 页 图 2 11 11 CN 116949412 A 说明书附图 3/4 页 图 3 12 12 CN 116949412 A 说明书附图 4/4 页 图 4 图 5 13 13

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