Pg电子游戏平台：韦尔半导体取得高保持电流瞬态电压抑制器件专利解决现有二极管特性和传统NPN结构特性瞬态电压抑制器件钳位高问题
金融界2025年7月17日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种高保持电流瞬态电压抑制器件”的专利，授权公告号CN223110415U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本申请提供了一种高保持电流瞬态电压抑制器件，具体通过将NPN结构与PNPN结构(SCR特性)并联，且NPN结构的击穿电压低于PNPN结构(SCR特性)的击穿电压，当在小电流时电流路径为NPN结构，当NPN结构两端的钳位电压大于PNPN结构(SCR特性)的击穿电压时，触发PNPN结构(SCR特性)，电流路径由NPN结构转换为PNPN结构(SCR特性)，进而解决现有二极管特性和传统NPN结构特性瞬态电压抑制器件钳位电压高，PNPN结构(SCR特性)虽然钳位电压低，但存在闩锁风险的问题。
天眼查资料显示，上海韦尔半导体股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本121442.6982万人民币。通过天眼查大数据分析，上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了43家企业，参与招投标项目10次，财产线条，此外企业还拥有行政许可13个。
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