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Pg电子游戏:瞬态电压抑制器制造技术

发布时间:2025-08-29 19:00:15点击量:

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  公开了瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器具有信号端和接地端,包括:彼此串联连接的容性二极管组件和第一齐纳二极管,其中,容性二极管组件包括在同一个半导体芯片中形成且所述半导体芯片内反向并联连接的第一二极管和第二二极管。该瞬态电压抑制器采用容性二极管组件作为无极性的电容元件,从而提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。

  瞬态电压抑制器TVS (Transient Voltage Suppressor)是在稳压管基础上发展的高效能电路保护器件。TVS 二极管的外形与普通稳压管无异,然而,由于特殊的结构和工艺设计,TVS 二极管的瞬态响应速度和浪涌吸收能力远高于普通稳压管。例如,TVS 二极管的响应时间仅为10 12秒,并且可以吸收高达数千瓦的浪涌功率。在反向应用条件下,当承受一个高能量的大脉冲时,TVS 二极管的工作阻抗会快速降至极低的导通值,从而允许大电流通过,同时,将电压箝位在预定水平。因此,TVS 二极管可以有效地保护电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲的损坏。传统的TVS 二极管的制造工艺比较简单,一般是在P+衬底/N+衬底上通过异型掺杂直接形成PN结。TVS 二极管的响应速度与其电容密切相关。传统的TVS 二极管主要应用在消费类电子产品中的数据端子,如键盘、侧键和电源线等。由于此类端子速度较慢,对TVS二极管的瞬态响应速度要求不高,电容一般在20pF以上。然而,视频数据线具有极高的数据传输率(其数据传输率高达48

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  一种瞬态电压抑制器,其特征在于,所述瞬态电压抑制器具有信号端和接地端,其特征在于,包括:彼此串联连接的容性二极管组件和第一齐纳二极管,其中,容性二极管组件包括在同一个半导体芯片中形成且所述半导体芯片内反向并联连接的第一二极管和第二二极管。

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