Pg电子游戏平台：陕西亚成微电子申请SGTMOSFET结构及制造方法专利有效抑制器件的开关震荡
发布时间：2026-03-02 16:15:53点击量：
国家知识产权局信息显示，陕西亚成微电子股份有限公司申请一项名为“SGT MOSFET结构及制造方法”的专利，公开号CN121398090A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种SGT MOSFET结构及制造方法，包括位于衬底一侧的外延层、位于外延层中的多个沟槽，沟槽具有底部区域、中间区域和顶部区域；位于底部区域的电磁干扰抑制结构，位于中间区域的中间氧化层以及位于顶部区域的栅极结构；位于外延层中的体区，位于体区内的源极区，以及，贯穿源极区的源极接触孔，位于外延层的顶面的绝缘层；位于绝缘层远离衬底一侧的源极，以及，位于衬底另一侧的漏极。这样，通过在外延层的沟槽底部区域设置电磁干扰抑制结构，结合中间氧化层和栅极结构的分区设计，增大了SGT MOSFET的源漏电容，有效抑制器件的开关震荡，降低电磁干扰，同时保持低内阻和快速开关性能。
天眼查资料显示，陕西亚成微电子股份有限公司，成立于2003年，位于西安市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本5982万人民币。通过天眼查大数据分析，陕西亚成微电子股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目39次，财产线条，此外企业还拥有行政许可18个。
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