Pg电子游戏：VerticalSemiconductor获千万美元融资重写数据中心供电逻辑？
在模型参数规模爆炸、推理密度持续抬升的趋势下，电源转换效率和散热管理正成为数据中心最难以忽视的成本项。而作为基础设施中最容易被忽视的一环，电源管理芯片正在迎来久违的技术革新。
近日，初创公司 Vertical Semiconductor 宣布完成 1100 万美元种子轮融资，用一项源自 MIT 实验室的“垂直 GaN 架构”，挑战数据中心电力路径的密度极限。
AI 模型参数从百亿级跃升至万亿级、训练周期从数天延长至数周，AI 数据中心的用电负载正在以指数级速度增长。据麦肯锡预测，到 2030 年全球数据中心能耗将翻倍至 900 太瓦时（TWh）以上，占全球电力消耗比例将逼近 5%。其中，AI 推理相关的能耗增长尤为显著。
在这一趋势下，如何提高电源管理效率、降低能量损耗与热量释放，已成为 AI 芯片性能释放的关键前提。不少业内人士将其称为 “AI 的热力学极限”。
目前，绝大多数 AI 芯片仍依赖传统的横向供电与 Si（硅）基电源管理系统，在电压转换、热控制、面积集成等方面存在限制。Vertical Semiconductor 试图通过 GaN 材料的高效率与垂直结构的空间优势，一次性解决功率密度、热效率与系统尺寸的多重矛盾。
Vertical Semiconductor 正在研发的下一代架构，全名为垂直堆叠氮化镓（GaN）功率芯片架构，目标是在服务器、AI 加速卡和高性能计算领域中实现更高效、更节能的电力转换。公司认为，目前的横向功率传导方式正面临物理极限，而“从垂直方向重新定义能量路径”是突破口之一。
Vertical Semiconductor 的产品采用“垂直堆叠”式 GaN 结构设计，与传统侧向 GaN（lateral GaN）不同，其电流在芯片中从上往下垂直流动，路径更短、阻抗更低、散热更快。
据公司介绍，其第一代产品聚焦于DC-DC 电源转换模块，可为 GPU 和 AI 加速卡提供更高频率、低延迟的供电环境。早期测试数据显示，在等同面积下，其转换效率提升可达 10%-20%，同时显著减少外部热管理所需器件数量。
此外，由于 GaN 材料本身具备更高的击穿电压和工作频率，Vertical 的架构还具备一定的“宽温宽压”适应性，可满足未来 AI 芯片在边缘场景下的功耗弹性需求。
虽然 AI 芯片在过去两年获得了大量关注，但其背后依赖的电源转换、散热、系统封装等“基础模块”却仍是空白地带。随着计算密度持续爬升，电源模块本身的集成效率、发热控制、时延干扰等问题，已成为系统级优化的主战场。
据 Yole Intelligence 数据，GaN 电源器件市场将在 2023 年突破 15 亿美元，到 2028 年将达到 50 亿美元以上，年复合增长率接近 30%。其中，AI 数据中心与电动汽车电源转换将成为最大增量来源。
而 GaN 本身也正在从消费电子（如快充）逐步走向工业与高性能场景。美国、欧洲与东亚均有 GaN 初创企业获得融资，包括：
Vertical Semiconductor 是少数明确聚焦“AI 数据中心垂直 GaN 电源模块” 的团队，其产品路线与 NVIDIA、AMD 等加速卡需求直接对接，也具备一定市场先发性。
纵观历史，每一代计算架构演进都会催生新的供电与散热系统变革。x86 时代的线性稳压器、移动芯片时代的 PMIC、现在 AI 时代的高密度分布式电源网络。
Vertical Semiconductor 的出现，某种程度上意味着了一种结构性变革，不再只是提高单一功率器件效率，而是从供电路径本身重构架构。
在 AI 训练与推理全面占据数据中心资源的未来世界，垂直 GaN 是否能成为新一代“电源基础设施”，仍需市场验证。但这类具备深技术基因、契合 AI 应用节奏的硬件初创企业，或许正是当下资本寒冬中最值得关注的变量。
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